MCR12DSN-1G中文资料
MCR12DSN-1G图片
- 大小：73.5KB
- 厂家：ON Semiconductor
- 描述： SCR THYRISTOR, 800V, D-PAK; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:800V; Gate Trigger Current Max, Igt:0.2mA; On State RMS Current IT(rms):12A; Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz:100A; Holding Current Max Ih:10mA ;RoHS Compliant: Yes
- 标准包装：75
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：SCR - 单个
- 系列：-
- SCR 型：灵敏栅极
- 电压 - 断路：800V
- 电压 - 栅极触发器 (Vgt)（最大）：1V
- 电压 - 导通状态 (Vtm)（最大）：1.9V
- 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）：7.6A
- 电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）：12A
- 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）：200µA
- 电流 - 维持(Ih)：6mA
- 电流 - 断开状态（最大）：10µA
- 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)：100A @ 60Hz
- 工作温度：-40°C ~ 110°C
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
- 其它名称：MCR12DSN-1GOS
MCR12DSN-1G供应商
更新时间:2023-01-27 07:17:50- 供应商
- 产品型号
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- 数量
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- 封装/批号
- 说明
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MCR12DSN-1G
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MCR12DSN-1G
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MCR12DSN-1G
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MCR12DSN-1G
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MCR12DSN-1G
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DPAK3 (SINGLE GAUGE)/2022+
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MCR12DSN-1G
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